[实用新型]一种Split Gate-IGBT结构及器件有效
| 申请号： | 201921743997.4 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN210628318U | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 徐守一;陈思凡;蔡铭进 | 申请（专利权）人： | 厦门芯达茂微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 张积峰 |
| 地址： | 361006 福建省厦门市火炬高新区火炬园*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种Split Gate‑IGBT结构及器件，其中，Split Gate‑IGBT结构，包括Split Gate结构、Trench Gate结构；所述Split Gate结构之间设有一个或多个Trench Gate结构。本实用新型提供的Split Gate‑IGBT结构，通过在Split Gate结构中间设置一个或者多个Trench Gate结构，在拥有较快开关速度的同时，还可进一步提高器件元胞密度，降低饱和压降；同时方便通过控制Trench Gate的数量来优化IGBT的开关性能。本实用新型另外提供的器件，可广泛应用于工业加热、变频器、照明电路、新能源汽车等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 split gate igbt 结构 器件 | ||
【主权项】：
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