[实用新型]一种半导体器件的终端结构有效
| 申请号： | 201921780363.6 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN210866184U | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 肖婷;史波;曾丹;敖利波;曹俊 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 郭金鑫 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件的终端结构，包括半导体衬底层、沟槽和离子掺杂层；多个沟槽沿预设方向开设在所述半导体衬底层上表面，多个所述沟槽的尺寸沿所述预设方向逐渐增大；离子掺杂层通过离子注入在所述半导体衬底层形成，所述离子掺杂层包围所述沟槽。本实用新型在沟槽刻蚀阶段对沟槽结构进行改进，通过沟槽刻蚀尺寸来影响刻蚀深度情况，实现终端结构的变掺杂，无需对终端离子注入工艺进行调整，避免了离子断开，不能实现渐变，引起器件漏电的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
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