[实用新型]写操作电路和半导体存储器有效
| 申请号： | 201921804602.7 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN211125038U | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张良 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 包莉莉;武晨燕 |
| 地址： | 200336 上海市长宁区虹桥路143*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种写操作电路和半导体存储器，包括：数据判断模块，用于根据半导体存储器的前次输入数据和当前输入数据中数据变化的位数，确定是否翻转当前输入数据，以生成翻转标识数据和中间数据；数据缓冲模块，用于根据使能信号和中间数据确定全局总线的初始态；数据接收模块，数据接收模块接收全局总线上的全局总线数据，并通过翻转标识信号线接收翻转标识数据，用于根据翻转标识数据，对全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入半导体存起的存储块，解码包括确定是否翻转全局总线数据。本申请实施例的技术方案可以实现在TriState架构下，减少内部全局总线翻转次数，大幅压缩电流，降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 电路 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
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