[实用新型]一种半导体终端结构及半导体结构有效

专利信息
申请号: 201921806520.6 申请日: 2019-10-24
公开(公告)号: CN210866185U 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 刘勇强;张祎龙;曾丹;史波 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06
代理公司: 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 代理人: 邵淑双
地址: 519070*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供了一种半导体终端结构及半导体结构,涉及半导体技术领域。半导体终端结构包括衬底层以及设置于所述衬底层上的外延层;所述外延层上形成有多个结终端拓展结构,所述结终端拓展结构向所述衬底层的方向延伸,且多个所述结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减。本申请中设置于外延层上的多个结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减,延伸的距离与所具有的离子浓度相关联,得到的各结终端拓展结构的浓度递减,因此形成不同的浓度梯度递进变化的结终端拓展结构,浓度梯度的渐变效果好。
搜索关键词: 一种 半导体 终端 结构
【主权项】:
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