[实用新型]一种低压降肖基特二极管有效
| 申请号： | 201921814033.4 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN210325813U | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 周晔;祁晓峰;肖良友 | 申请（专利权）人： | 江苏长弘半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 王敏 |
| 地址： | 213000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及二极管技术领域，尤其涉及一种低压降肖基特二极管，包括：阳极金属、芯片和阴极金属，所述芯片的两面分别与所述阳极金属和阴极金属接触，所述芯片与所述阳极金属的接触面上设置均布有若干凹坑，以增大所述阳极金属与所述芯片的接触面积。本实用新型通过在芯片表面设置的凹坑，增大了芯片的表面积，从而增大了通流量使得顺向电压值得以降低，与常规的肖基特二极管相比较，本实用新型中的肖基特二极管由于电压降低后，功耗也随之降低，从而该产品应用于电源转换中会产生更低的功耗，降低了无效功耗，提高了转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 降肖基特 二极管 | ||
【主权项】：
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