[实用新型]一种应用于LED晶片扩晶的装置有效
| 申请号： | 201921824262.4 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN210349792U | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 马景鹏 | 申请（专利权）人： | 连云港光鼎电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 马海清 |
| 地址： | 222506 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种应用于LED晶片扩晶的装置，包括机架，所述机架上设有扩晶结构以及设置在扩晶结构上方的压膜结构，所述扩晶结构一侧设有第一离子风扇，所述扩晶结构包括上压板、下压板以及设置在下压板下方的置物腔，所述上压板和下压板一侧铰接，上压板和下压板另一侧通过锁紧装置活动连接，所述上压板上设有用于锁紧装置的压头放置的凹槽，所述凹槽一侧的上压板上设有磁铁片。该种扩晶的装置在使用过程中结构设计合理，利用现有结构资源，将其功能最大化，同时能够消除操作过程中的静电，保证扩晶效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 led 晶片 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
