[实用新型]一种晶体生长用温度梯度调节装置有效

专利信息
申请号: 201921845649.8 申请日: 2019-10-30
公开(公告)号: CN211256155U 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 张国华;姜杨斌;汪海波;陈虹;徐永亮;于海群 申请(专利权)人: 浙江昀丰新材料科技股份有限公司
主分类号: C30B29/20 分类号: C30B29/20;C30B17/00
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 321000 浙江省金华市金*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请提供了一种晶体生长用温度梯度调节装置,包括旋转接头、连接座和套设有籽晶杆外壳的籽晶杆,通过将水管道和气管道同时设置在籽晶杆的设备上,提供了一种用于晶体生长的可以同时实现水冷气冷温度梯度调节的装置技术,通过控制气体和液体的流量与压力,带走籽晶杆上的热量,使得晶体沿籽晶晶向缓慢生长,在生长过程中,还可以通过改变热场温度,籽晶杆的旋转速度和拉升速度等参数控制晶体的生长速度。本申请提供的晶体生长用温度梯度调节装置,解决了现有技术中单独水冷的籽晶轴结构热场温度难以控制,一旦设计定型,温度梯度不能调整的问题,为晶体生长技术领域提供了技术支持。
搜索关键词: 一种 晶体生长 温度梯度 调节 装置
【主权项】:
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