[实用新型]一种晶圆湿法刻蚀系统有效
| 申请号： | 201921866659.X | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN211017014U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 熊佳瑜;李绪;陈浩;廖世旺;廖昌洋 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘恋;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种晶圆湿法刻蚀系统，包括：晶圆湿法刻蚀装置，包括控制器和晶圆刻蚀机台；刻蚀液供应装置，包括：第一和第二刻蚀液供应装置，第一刻蚀液供应装置包括用于容纳刻蚀液的第一储液容器、连接第一储液容器和晶圆刻蚀机台的第一管路以及设置在该第一管路上的第一阀门；第二刻蚀液供应装置包括用于容纳刻蚀液的第二储液容器、连接第二储液容器和晶圆刻蚀机台的第二管路以及设置在该第二管路上的第二阀门，第一刻蚀液供应装置还包括安装在第一储液容器中的第一连续式液位测量装置，第二刻蚀液供应装置还包括安装在第二储液容器中的第二连续式液位测量装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921866659.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
