[实用新型]组合掩模版有效
| 申请号： | 201921882973.7 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN210776175U | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 巫奉伦;王嘉鸿;夏忠平;黄建维 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F7/20;G03F9/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种组合掩模版。通过组合使用第一掩模版和第二掩模版，以界定出对位标记的图形，从而使得所形成的对位标记的结构更为复杂且精度更高，进而基于该对位标记执行光刻工艺时，即有利于提高光刻工艺的对准精度，减小光刻工艺的对位偏差。以及，在将该对位标记结合至半导体器件的制备过程中，则相应的能够提高所形成的半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 组合 模版 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
