[实用新型]静电保护单元及阵列基板

摘要

本实用新型公开了一种静电保护单元及阵列基板，该静电保护单元包括悬浮栅极的第一薄膜晶体管、第一电容和第二电容，第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过第一电容连接至第一薄膜晶体管的源极；第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过第二电容连接第一薄膜晶体管的漏极。本实用新型在阵列基板的信号线上产生的静电荷时，信号线上的电压会通过第一电容耦合到第一薄膜晶体管的悬浮栅极，使第一薄膜晶体管的悬浮栅极打开，第一薄膜晶体管的源极和漏极在悬浮栅极的作用下导通，使信号线上的静电荷通过漏极迅速释放到静电保护线，降低了静电对阵列基板造成的损伤。