[实用新型]一种底发射垂直腔面发射激光器结构有效

专利信息
申请号: 201921934609.0 申请日: 2019-11-11
公开(公告)号: CN209948330U 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 李迈克 申请(专利权)人: 中证博芯(重庆)半导体有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183
代理公司: 50218 重庆信航知识产权代理有限公司 代理人: 穆祥维
地址: 401573 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 实用新型提供一种底发射垂直腔面发射激光器结构,包括衬底基板,衬底基板表面顺序形成有高反射率的下DBR、有源区域、氧化限制层、高反射率的上DBR和欧姆接触的金属上电极层,衬底基板底面形成有向衬底基板表面延伸的出光孔,出光孔的底部与衬底基板表面的间距为d且0≤d<λ,λ为垂直腔面发射激光器的激光激射波长,出光孔的中心线与衬底基板上共轴设置的下DBR、有源区域、氧化限制层、上DBR和金属上电极层的中心轴线重合,衬底基板底面和出光孔内壁形成有欧姆接触的金属下电极层,出光孔底表面形成有与出光孔内金属下电极层邻接的全反射层。本申请使得任意波长的激光均可采用该底发射结构。
搜索关键词: 衬底基板 出光孔 垂直腔面发射激光器 金属上电极层 氧化限制层 高反射率 欧姆接触 下电极层 源区域 底面 激光 中心轴线重合 本实用新型 出光孔内壁 金属 表面顺序 表面形成 表面延伸 共轴设置 激射波长 全反射层 发射 邻接 波长 有向 申请
【主权项】:
1.一种底发射垂直腔面发射激光器结构,包括衬底基板,所述衬底基板表面形成有高反射率的下DBR,所述下DBR表面形成有有源区域,所述有源区域表面形成有氧化限制层,所述氧化限制层表面形成有高反射率的上DBR,所述上DBR表面形成有欧姆接触的金属上电极层,其特征在于,所述衬底基板底面形成有向衬底基板表面延伸的出光孔,所述出光孔的底部与衬底基板表面的间距为d且0≤d<λ,所述λ为垂直腔面发射激光器的激光激射波长,所述出光孔的中心线与衬底基板上共轴设置的下DBR、有源区域、氧化限制层、上DBR和金属上电极层的中心轴线重合,所述衬底基板底面和出光孔内壁形成有欧姆接触的金属下电极层,所述出光孔的底表面形成有与出光孔内金属下电极层邻接的全反射层。/n
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