[实用新型]一种多叉指LDMOS-SCR静电防护器件有效
| 申请号： | 201921941191.6 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN210489616U | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;曹佩;董鹏;金湘亮;李幸 | 申请（专利权）人： | 湖南静芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙) 44426 | 代理人： | 隆毅 |
| 地址： | 410199 湖南省长沙市经济*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型实施例提供一种多叉指LDMOS‑SCR静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型深阱；N型深阱内设有第一P阱、第一P阱和第二P阱之间的N型深阱、第二P阱、第二P阱和第三P阱之间的N型深阱、第三P阱、第三P+阱和第四P阱之间的N型深阱以及第四P阱；第一P阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二P阱内设有第四P+注入区、第三N+注入区、第五P+注入区、第四N+注入区和第六P+注入区；第三P阱内设有第九P+注入区和多个N+注入区Ⅱ，第四P阱内设有第九N+注入区和多个P+注入区Ⅴ，如此，相对于传统多叉指LDMOS‑SCR器件，本实用新型在增加器件指数的同时，提高多叉指LDMOS‑SCR的导通均匀性，进而提高多叉指LDMOS‑SCR的鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多叉指 ldmos scr 静电 防护 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南静芯微电子技术有限公司，未经湖南静芯微电子技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921941191.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种SoC内置振荡电路
- 下一篇：一种机械手表维修用立式放大操作机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
