[实用新型]放大器芯片封装结构有效
| 申请号： | 201921947466.7 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN210429777U | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 曲韩宾;张晓朋;吴兰;高博;邢浦旭;崔培水;谷江 | 申请（专利权）人： | 河北新华北集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 祁静 |
| 地址： | 050200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种放大器芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域，包括芯片、封装基板以及封盖；封装基板设有至少两层介质层，且位于顶层的介质层上设有凹槽，封装基板上设有顶部金属层、中间金属层和底部金属层，封盖设置于封装基板上。本实用新型提供的放大器芯片封装结构，实现了多层布线，将芯片设置于凹槽内，有效的缩短了芯片与封装基板的顶部金属层之间的连接长度，提高了二者之间的传输能力，降低了射频传输的损耗，带有内腔的封盖使芯片的上方有一层低介电损耗的空气层，避免了传统封装芯片需要直接接触塑封料造成的介电损耗，有效的降低了封装结构造成的毫米波波段的性能损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 放大器 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
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