[实用新型]一种高质量外延结构有效
| 申请号： | 201921947896.9 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN210575998U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭;农明涛 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高质量外延结构，包括衬底，缓冲层、u‑GaN层、N型GaN层、有源层和P型GaN层，所述缓冲层设置在衬底和u‑GaN层之间，以减少衬底和GaN之间的晶格差异，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层由AlN制成，所述第二缓冲层包括若干个周期的GaN层和SiNx层。本实用新型在衬底和GaN之间设置第一缓冲层和第二缓冲层，有效减低外延缺陷，减少晶格失配，提高外延结构的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 外延 结构 | ||
【主权项】：
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