[实用新型]一种圆柱形高压硅堆的组合结构有效
| 申请号： | 201922051486.2 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN210668292U | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 唐毅 | 申请（专利权）人： | 鞍山术立电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 青岛小度智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 37282 | 代理人： | 周莉 |
| 地址： | 114015 辽宁省鞍山市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种圆柱形高压硅堆的组合结构，包括凸头，所述凸头固定连接于环氧模塑料一端，且所述环氧模塑料另一端设有凹面接触结构，所述凸头可拆卸连接另一个高压硅堆的所述凹面接触结构，且所述环氧模塑料中部设有特制电极杆。本实用新型通过该结构方便了用户的根据不同参数方案随意增减组合，并降低高压硅堆的使用和维护成本，同时此种组合结构方便了生产，更易于批量化，降低了生产成本,极大的提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 圆柱形 高压 组合 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
