[实用新型]基于SiC半导体材料的无功补偿与谐波治理综合装置有效
| 申请号： | 201922082429.0 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN211744048U | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 严昊;翁健洪;孙刚浩;汪龙伟 | 申请（专利权）人： | 胜业电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H02J3/18 | 分类号： | H02J3/18;H02J3/01 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 刘孟斌 |
| 地址： | 528308 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了基于SiC半导体材料的无功补偿与谐波治理综合装置，包括MOSFET模块，所述MOSFET模块内具有半导体，所述半导体为SiC半导体。当今市场上APF/SVG产品使用Si半导体的IGBT模块在一般情况下只能工作在20kHz以下的频率。随着APF/SVG对于效率和体积提出更高的要求，传统的Si材料已经接近理论性能极限，无法进一步满足技术需求。而SiC半导体材料具有耐高压、耐高温、低损耗、高效率等特性，被申请人视为APF/SVG市场上高端技术领域研发的重点。本实用新型利用SiC材料制造APF/SVG产品利用SiC功率密度高、损耗低、开断延时小等优势，可以支持更小的并网电抗器来保证并网波形质量，可以减少外置器件的成本、体积与重量，削减有源装置整体的体积和重量。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sic 半导体材料 无功 补偿 谐波 治理 综合 装置 | ||
【主权项】：
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