[实用新型]一种900耐压SIC MOSFET的封装结构有效
| 申请号： | 201922085827.8 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN211295076U | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 王辉;何超 | 申请（专利权）人： | 西安英冉半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/32 | 分类号： | H01L23/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种900耐压SIC MOSFET的封装结构，安装槽内部连接有辅助结构，安装槽的一侧侧壁上设立有锁定结构，安装结构相互远离的两侧侧壁下边沿上均固定连接有固定板，固定板上螺纹连接有固定螺丝，安装槽内可拆式连接有效应管，与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过辅助结构能够对效应管进行夹持固定，使效应管能够牢固的连接在安装槽内，避免脱落，设立卡板和卡槽能够对活动柱进行限位，使夹板夹持的更加稳定，通过垫层能够避免夹板对效应管造成磨损，通过盖板能够对效应管进行挤压限位，能够在辅助结构的基础上进一步的加固效应管与安装结构连接的稳定性，设立硅胶制作的顶板能够对效应管进行挤压且不会对效应管造成磨损。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 900 耐压 sic mosfet 封装 结构 | ||
【主权项】：
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