[实用新型]一种物理气相沉积设备有效
| 申请号： | 201922093302.9 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN213245251U | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 钟瑞伦;吴俊鹏 | 申请（专利权）人： | 吴俊鹏;陈纪宇 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;H01L21/67;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾新竹市北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种物理气相沉积设备，包括除气室、等离子体室以及反应室，其中除气室用以去除半导体组件上的水分，等离子体室通过感应耦合式等离子体清洁半导体组件的表面以及填补半导体组件的表面悬浮键结，以及反应室对半导体组件实施镀膜工艺以在半导体组件的表面形成金属基膜。本实用新型披露的物理气相沉积设备通过等离子体室内的感应耦合式等离子体清洁半导体组件的表面以及填补半导体组件的表面悬浮键结，如此一来可以降低半导体组件上外延层不必要的损伤，进而提升半导体组件的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 物理 沉积 设备 | ||
【主权项】：
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