[实用新型]一种双面热管冷却的IGBT封装结构有效
申请号: | 201922104756.1 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN210805757U | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 上海睿驱微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/427 | 分类号: | H01L23/427;H01L23/473;H01L25/18 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 朱远枫 |
地址: | 201899 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种双面热管冷却的IGBT封装结构,该IGBT封装结构包括上水冷板、下水冷板、上热管、下热管、IGBT芯片、FWD芯片、焊料层、上下覆铜基板以及上下绝缘基板。采用上下覆铜基板结构将IGBT的发射极和FWD的阳极通过覆铜基板连接,减少键合引线,从而实现双面热管冷却的IGBT封装结构,提升模块的可靠性;该实用新型芯片与覆铜基板之间的优选焊料层及形成方式有助于发挥材料的高温特性,同时提高热量从芯片到基板的纵向热传导能力,从而降低模块的最高温度,提升模块的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 热管 冷却 igbt 封装 结构 | ||
【主权项】:
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