[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201922107751.4 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN210640230U | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 庄凌艺 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李建忠;袁礼君 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构，半导体结构包括半导体基底、金属焊盘、凸块、金属阻绝层以及焊料层，金属焊盘设置于半导体基底上；凸块设置于金属焊盘上；金属阻绝层设置于凸块远离金属焊盘的一侧，金属阻绝层具有容纳腔，金属阻绝层的侧壁上设置有开口，开口与容纳腔相连通；焊料层设置于容纳腔内，且焊料层远离凸块的一端凸出容纳腔设置。由于开口的存在，在倒装芯片焊接过程中，受热而溢流出去的焊料会随着开口流出，即开口起到了导流的作用，从而通过控制开口的方向即可实现对焊料的导流作用，以此改善凸块间焊料桥接的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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