[实用新型]半导体结构及半导体器件

摘要

本公开提供一种半导体结构及半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括半导体衬底、预设半导体层、栅介质层和栅极层，其中：半导体衬底，包括间隔设置的隔离结构及位于相邻两个隔离结构之间的第一有源区，第一有源区具有预设外延区；预设半导体层，形成于预设外延区，预设半导体层的电子亲和能大于半导体衬底的电子亲和能；栅介质层，形成于预设半导体层和半导体衬底共同构成的表面；栅极层，形成于栅介质层的表面。本公开的半导体结构及半导体器件可减小栅极层厚度，提高栅极层的栅极控制能力，减小短沟道效应，降低生产成本。