[实用新型]一种MOCVD反应腔用加热板有效
| 申请号： | 201922145850.1 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN211947214U | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 田青林;黎静 | 申请（专利权）人： | 江苏实为半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46;H05B3/20 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOCVD反应腔用加热板，包括，数量为偶数的若干组加热片；所有加热片均为中心对称布置；每组加热片的形状均是弧形迂回着由中心点O向外拓展；相邻两组加热片迂回的拐点彼此错开，每组加热片的自由端分别连接电源的两极。有益效果：通过将轴对称改成中心对称、将Ω形状的加热板中心改成单独分体或封闭环形的结构，以及合理布置留置区和电压位置的安装，解决了传统加热板的结构的缺陷，提高了使用的稳定性，增加了加热板的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mocvd 反应 加热 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
