[实用新型]高纯铟的区熔装置有效
| 申请号： | 201922168478.6 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN211734444U | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李栋;张磊;郭学益;田庆华;许志鹏;朱刘;何志达 | 申请（专利权）人： | 中南大学;广东先导稀材股份有限公司 |
| 主分类号： | C22B58/00 | 分类号： | C22B58/00;C22B9/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410083 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种高纯铟的区熔装置，其包括超重强化组件、气控组件、加热组件、中央控制器，气控组件包括气管组件，气控组件与超重强化组件通过气管组件连通，加热组件可移动的装配于超重强化组件内，中央控制器控制整个区熔装置。本高纯铟的区熔装置，采用靶向超重强化区域熔炼，在超重力和强磁场共同作用下，可强化杂质在熔体中传质过程，熔体中杂质大量富集于铟原料首端、尾端和底部，有效解决了传统区域熔炼杂质分离系数接近1时分离困难、熔区受热不均匀和熔区宽度难控制、区熔次数多的问题，达到降低生产成本、能源消耗、气体资源以及高效制备高纯铟的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 装置 | ||
【主权项】：
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