[实用新型]一种制备晶圆级异质集成衬底的设备有效
| 申请号： | 201922170818.9 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN211150519U | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;李忠旭;赵晓蒙;陈阳;黄凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种制备晶圆级异质集成衬底的设备，包括：用于键合晶圆的键合腔；用于对所述晶圆进行温度调整的退火腔；用于在所述键合腔与所述退火腔之间传送所述晶圆的晶圆传送装置，其连接所述键合腔与所述退火腔。本实用新型通过对键合晶圆进行温度控制，解决了不同材质晶圆间较大的热适配问题；通过弹性缓冲构件使对晶圆所施加的键合压力更平稳；在不破坏设备腔内真空的前提下实现大量离子注入的单晶晶圆薄膜的剥离与转移，制备得到晶圆级单晶薄膜，极大地提高了异质晶圆键合集成的质量与效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 晶圆级异质 集成 衬底 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
