[实用新型]晶圆键合装置有效
| 申请号： | 201922172247.2 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN211654773U | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;李忠旭;赵晓蒙;陈阳;黄凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种晶圆键合装置，包括：用于键合晶圆的键合腔；用于对键合后的所述晶圆进行逐级冷却的多个串联设置的温度缓冲腔；用于传送所述晶圆的多个晶圆传送模块，其设置于所述键合腔与所述温度缓冲腔之间以及多个串联设置的所述温度缓冲腔中相邻的所述温度缓冲腔之间。本实用新型通过设置多个串联连接键合腔的温度缓冲腔，使键合后的晶圆在多个温度缓冲腔中逐级冷却，减少了对所述键合腔的占用时间，从而提升了键合腔的使用效率；同时，温度缓冲腔的设置还可以减小键合晶圆传递时的热冲击，使键合晶圆的热应力逐步释放，优化键合晶圆的整体形貌参数，避免了直接将高温键合晶圆从键合装置中取出而导致的键合晶圆解键合或碎裂问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
