[实用新型]一种各向异性器件有效
申请号: | 201922230481.6 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN210837755U | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 曾永宏;范涛健;张家宜;梁维源;康建龙;杨庭强;孟思;张斌 | 申请(专利权)人: | 深圳瀚光科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L21/8239 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518027 广东省深圳市龙华区观澜*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种各向异性器件,包括基体层、依次层叠在所述基体层上的隔离层和二维纳米薄膜层,二维纳米薄膜层覆盖部分隔离层,还包括中央源电极/中央漏电极及若干周围漏电极/周围源电极;中央源电极/中央漏电极设于二维纳米薄膜层的中部,若干周围漏电极/周围源电极沿中央源电极/中央漏电极的周向设于隔离层上,且若干周围漏电极/周围源电极朝向二维纳米薄膜层延伸至接触二维纳米薄膜层。该各向异性器件可以利用二维纳米薄膜层的各向异性特性,实现材料上不同方向上电流大小的检测,充分利用材料的各向异性,在电子和光电子领域具有巨大的潜在应用。本实用新型还提供了各向异性器件的制备方法和应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 各向异性 器件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的