[实用新型]高可靠性RFMEMS数字可变电容单元有效
| 申请号： | 201922262488.6 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN211208252U | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王竞轩;刘泽文;肖倩;陈涛 | 申请（专利权）人： | 苏州希美微纳系统有限公司 |
| 主分类号： | H01G7/00 | 分类号： | H01G7/00;H01G5/38 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 刘洪勋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高可靠性RF MEMS数字可变电容单元，包括衬底，衬底上分布有RF电极、地结构和驱动电极，其中地结构和驱动电极分布在RF电极的两侧，地结构上连接有翘板式上极板，翘板式上极板连接有扭转梁，扭转梁的两侧分布有驱动电极；RF电极上附有用以隔离翘板式上极板与RF电极的介质层；在驱动过程中，翘板式上极板可与RF电极分别形成第一距离、第二距离和第三距离。由此，采用翘板式结构，电容值可控性强。可实现翘板式上极板与RF电极之间较大的距离变化，即可得到较大的变容比。若在第一距离电容状态与第三距离电容状态之间转换时，由于有驱动力和悬臂梁自身回复力的双重作用，响应速度更快。翘板式上极板的两端及支点处的扭转梁都固定于地结构。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 rfmems 数字 可变电容 单元 | ||
【主权项】：
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