[实用新型]一种集成化单向低容GPP工艺的TVS器件

摘要

本实用新型公开了一种集成化单向低容GPP工艺的TVS器件，包括GPP二极管侧金属层、GPP二极管有源区、N‑硅衬底材料、N+外延层、TVS有源区、TVS侧金属层，GPP二极管有源区侧面设有延伸至N‑硅衬底材料顶部的GPP玻璃钝化保护层，TVS有源区设于N+外延层底部内，TVS侧金属层覆盖设于TVS有源区，边缘延伸出TVS有源区，与N+外延层之间设有TVS芯片表面钝化层，TVS芯片表面钝化层延伸出TVS侧金属层边缘外，覆盖于N+外延层底面，本实用新型生产工艺流程简单，且将GPP二极管与TVS集成在一颗芯片上，具有成本低、可靠性高的优势，也让客户端PCB板的尺寸有优化的空间。