[实用新型]一种充放电MOS保护电路有效
| 申请号： | 201922303131.8 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN211880112U | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 禹成海 | 申请（专利权）人： | 苏州妙益科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;H02H3/08;H02H7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型一种充放电MOS保护电路，包括电池以及保护电路，所述保护电路包括电流取样电阻RS、放电控制mosQD、充电控制mosQC，还包括放电mos保护稳压管ZD、放电mos保护电容CD、充电mos保护稳压管ZC、充电mos保护电容CC，其中所述电流取样电阻RS用于CPU测量电流，所述放电mos保护稳压管ZD以及充电mos保护稳压管ZC提供限压保护，本实用新型放电mos保护电容CD以及充电mos保护电容CC具有吸收尖峰能力，与放电mos保护稳压管ZD以及充电mos保护稳压管ZC配合保护mos管，切断越快、反压越高，mos切断后，利用对电容的充放电，降低电流变化率，进而降低反压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 放电 mos 保护 电路 | ||
【主权项】：
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