[实用新型]一种高线性度宽摆幅CMOS电压跟随器有效

专利信息
申请号: 201922308617.0 申请日: 2019-12-16
公开(公告)号: CN211089632U 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 白春风;刘天宇;郭泽涛;乔东海 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003;H03K19/0185
代理公司: 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 代理人: 陆金星
地址: 215000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种高线性度宽摆幅CMOS电压跟随器,当输入电压低至0V时,所有MOS管都能够充分工作在饱和区,因而能够保证电压跟随器能够正常工作;随着输入电压增高,PMOS管P9漏端电压会迫近电源电压VDD,此时PMOS管P9进入线性区,导致PMOS管P9的栅极电压急剧下降,但是只要没有下降到迫使NMOS管N3进入线性区,电压跟随器仍能正常工作。因此PMOS管P9栅极电压可以低至小于2Vdsat,PMOS管P9的栅极电压允许摆幅得到较大的扩展。
搜索关键词: 一种 线性 度宽摆幅 cmos 电压 跟随
【主权项】:
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