[实用新型]用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及测试电路有效
| 申请号： | 201922330645.2 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN212907729U | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 张飞虎;陆梅君;刘慧斌;杨慎知 | 申请（专利权）人： | 杭州广立微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01B7/16 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人： | 王静 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种应用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及测试电路，所述测试结构包括若干个鳍和若干个不互联的连接层，所述连接层连接于每个待测鳍的两端，所述鳍的个数取值范围：3－1000根，鳍的宽度1－50nm，鳍长度0.1－1000um，所述鳍之间的距离为：1－100nm之间；上述用于FinFET工艺中探测晶体管边缘鳍形变的测试结构根据FINFET工艺的特点设计，结构简单易于制造。并且测试可靠性高，能够准确探测并对比边缘鳍的形变程度，从而监控集成电路制造工艺，帮助制造者及时发现问题、及时改进制造方案，极大地节约生产成本投入。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 工艺 检测 边缘 形变 测试 结构 电路 | ||
【主权项】：
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