[实用新型]一种IGBT半导体器件有效
| 申请号： | 201922331166.2 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN210668385U | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王新领 | 申请（专利权）人： | 河南意达数码科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人： | 陈巍 |
| 地址： | 453000 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种IGBT半导体器件，通过改进传统的多晶硅层与金属层结构设计，使得IGBT半导体器件在开关过程中对元胞栅极的充电和放电速度加快，从而使IGBT半导体器件整体的开关速度增快。与传统的IGBT半导体器件结构相比，本实用新型加快了IGBT的开关速度，同时提高了IGBT元胞开关过程的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 半导体器件 | ||
【主权项】：
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