[实用新型]一种水平砷化镓单晶双舟生长的装置有效
| 申请号： | 201922421357.8 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN211471630U | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 许所成;李万朋;权盼;赵敬平;越云雷;许兴 | 申请（专利权）人： | 有研光电新材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/42 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 065001 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种水平砷化镓单晶双舟生长的装置。一种水平砷化镓单晶双舟生长的装置包括：石英管；位于石英管内上部的上石英舟；位于石英管内下部的下石英舟；至少一个闭合支撑环；以及至少一个C型支撑件，至少一个支撑桥；其中，上石英舟和下石英舟的端部都设有籽晶腔，并且上石英舟和下石英舟的籽晶腔位于石英管的同一端；下石英舟的籽晶腔穿过闭合支撑环，并且上石英舟的籽晶腔支撑在闭合支撑环的上方；一个C型支撑件与一个支撑桥配合形成闭合孔，下石英舟穿过闭合孔，并且上石英舟支撑在所述支撑桥的上方。本实用新型采用双舟设计，一次可生产两根单晶，相比现有技术提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水平 砷化镓单晶双舟 生长 装置 | ||
【主权项】：
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