[实用新型]元胞结构及其应用的半导体器件有效

专利信息
申请号: 201922432201.X 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN211480038U 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 杜文芳 申请(专利权)人: 南京芯舟科技有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L27/088;H01L23/552
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 亓赢
地址: 210000 江苏省南京市浦口区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请是一种元胞结构及其应用的半导体器件,所述元胞结构包括半导体衬底及其上方的外延层。衬底与外延层之间设置多个浮空区。外延层顶端设置多数个槽单元,槽单元底设置对应的载流子势垒区,以与浮空区作用形成屏蔽区,槽内设置导电材料。源体区设置于相邻槽单元之间,源体区表面紧贴设置有一个以上的源区,其与源体区接触半导体衬底顶部的第一金属层。半导体衬底底部则设置第一半导体区及其接触的第二金属层。本申请通过减化槽设置数量与屏蔽区的设计,在保持功能的同时达到导通或空穴路径设计限定的要求。
搜索关键词: 结构 及其 应用 半导体器件
【主权项】:
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