[实用新型]元胞结构及其应用的半导体器件有效
申请号: | 201922432201.X | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN211480038U | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 杜文芳 | 申请(专利权)人: | 南京芯舟科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/088;H01L23/552 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 亓赢 |
地址: | 210000 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请是一种元胞结构及其应用的半导体器件,所述元胞结构包括半导体衬底及其上方的外延层。衬底与外延层之间设置多个浮空区。外延层顶端设置多数个槽单元,槽单元底设置对应的载流子势垒区,以与浮空区作用形成屏蔽区,槽内设置导电材料。源体区设置于相邻槽单元之间,源体区表面紧贴设置有一个以上的源区,其与源体区接触半导体衬底顶部的第一金属层。半导体衬底底部则设置第一半导体区及其接触的第二金属层。本申请通过减化槽设置数量与屏蔽区的设计,在保持功能的同时达到导通或空穴路径设计限定的要求。 | ||
搜索关键词: | 结构 及其 应用 半导体器件 | ||
【主权项】:
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