[实用新型]带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201922450345.8 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN210956684U | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 贺洁;王书昶;张雄;黄飞明;励晔 | 申请（专利权）人： | 无锡硅动力微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/40 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管，在衬底的上表面固定有缓冲层，在缓冲层的上表面固定有势垒层，在势垒层的上表面固定有源极金属、第一钝化层、P型栅极、肖特基结型场板、第二钝化层与漏极金属，第一钝化层的右端部分延伸到P型栅极的上方，肖特基结型场板的右端部分延伸到第二钝化层的上方；在延伸到P型栅极上方的第一钝化层上开设有连通孔，在连通孔内以及P型栅极上方的第一钝化层的上表面设有栅极金属，且栅极金属和肖特基结型场板采用同一种金属制作。本实用新型提出的肖特基结型场板可以更有效的感应电荷、屏蔽P型栅极7末端处的电场峰值，使得本实用新型提出的器件结构具有更高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 肖特基结型场板 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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