[实用新型]一种碳化硅型低压变频器电路有效

专利信息
申请号: 201922450910.0 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN211557158U 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 李伟明 申请(专利权)人: 微山县微山湖微电子产业研究院有限公司
主分类号: H02M5/458 分类号: H02M5/458
代理公司: 北京鱼爪知识产权代理有限公司 11754 代理人: 李晓楠
地址: 277699 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 实用新型提供一种碳化硅型低压变频器电路,其低压变频器系统主要包括整流电路、滤波电路、逆变电路、启动电路和制动电路,在相同的功率等级下,设备中功率器件的数量、散热器的体积、滤波元件体积都能大大减小,同时效率也有大幅度的提升。在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的“Si的IGBT和二极管”相比SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。
搜索关键词: 一种 碳化硅 低压 变频器 电路
【主权项】:
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