[实用新型]一种CMOS工艺低压检测电路结构有效
| 申请号： | 201922461904.5 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN212540500U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李湘春;徐兴;蓝龙伟;胡锦 | 申请（专利权）人： | 苏州锐控微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种CMOS工艺低压检测电路结构，包括：电压采样电路基准电压产生电路、电压比较电路、施密特触发电路、采样电压控制电路；所述电压采样电路提供可被采样的第一电压和第二电压，该第一电压小于第二电压；电压采样电路的第一电压和第二电压端口与采样控制电路连接，所述采样控制电路的控制端口与施密特触发电路输出端口连接，施密特触发电路的输出信号控制所述采样电路采样第一电压或第二电压；电压比较电路的参考端口与基准电压产生电路的输出端口连接，采样电压端口与采样控制电路的输出端口连接，所述电压比较电路将上述的第一电压或第二电压与参考电压比较；电压比较电路的输出端口与施密特触发电路的输入端口连接，该方案更能适应噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 工艺 低压 检测 电路 结构 | ||
【主权项】：
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