[实用新型]晶圆级SIP模组结构有效
| 申请号： | 201922471799.3 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN211088268U | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 吴政达;陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 施婷婷 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶圆级SIP模组结构，包括：第一塑封层；导电柱，位于第一塑封层内；芯片，位于第一塑封层内；重新布线层，位于第一塑封层的上表面，且与导电柱及芯片电连接；第二塑封层，位于重新布线层的上表面；连接器，位于重新布线层的上表面，且位于第二塑封层内；连接器与重新布线层电连接；焊料凸块，位于第一塑封层的下表面，且与导电柱电连接。本实用新型的晶圆级SIP模组结构可以实现正面晶圆作业工艺，均匀性较好；正反两面导通工序简单，可以根据实际需要设定不同尺寸的导电柱；导电柱之间的间隙较小，集成度高；重新布线层可以为多层堆叠结构，可以根据实际需要调整重新布线层中金属线层的层数及厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 sip 模组 结构 | ||
【主权项】：
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