[实用新型]一种基于硅纳米线结构的太阳能电池有效
| 申请号： | 201922495615.7 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN211295115U | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 房冉冉;曹惠;聂顺;郭丽娟;张潇华 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学胜利学院 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/072 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 257061 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于硅纳米线结构的太阳能电池，其自上而下包括正面电极（1）、ITO氧化铟锡透明导电薄膜（2）、P型非晶硅层（3）、正面本征非晶硅层（4）、硅纳米线绒面层（5）、N型硅衬底（6）、背面本征非晶硅层（7）、背面电极（8）。其中硅纳米线绒面层（5）由相互交叉堆叠的硅纳米线构成，通过酒精溶液转移至N型硅衬底（6）上形成的相互交叉堆叠的硅纳米线层，其每根硅纳米线直径为40‑80nm，长度为10‑40um，该硅纳米线层具有强烈的陷光特性，能够有效降低硅衬底表面的光反射率。本实用新型通过采用硅纳米线层，有效降低了电池表面的光反射率，增强了太阳能电池的陷光性能，提高了太阳能电池光电转换效率，可用于光伏发电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 结构 太阳能电池 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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