[发明专利]碳化硅肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201980000141.4 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN110521005B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 丘树坚;王兆伟 | 申请（专利权）人： | 香港应用科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国香港新界沙田香港*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 一种碳化硅二极管，其包含碳化硅衬底(20)、位于碳化硅衬底顶部的碳化硅层(24)、设置在碳化硅层上并沿着碳化硅层顶表面彼此分离两个第一低势垒金属部分(36)、连接到两个低势垒金属部分的第一高势垒金属部分(30)。碳化硅层比碳化硅衬底更薄并且具有更低的掺杂。第一高势垒金属部分位于碳化硅层上的沿着碳化硅层顶表面方向的两个第一低势垒金属部分之间。通过减小结势垒处的漏电流，碳化硅二极管的反向击穿电压显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅二极管，包括：/na)碳化硅衬底；/nb)在碳化硅衬底顶部的碳化硅层，所述碳化硅层比所述碳化硅衬底更薄并且具有更低的掺杂；/nc)两个第一低势垒金属部分，其设置在所述碳化硅层上，并沿着所述碳化硅层顶表面彼此分开；/nd)第一高势垒金属部分，其连接到所述两个低势垒金属部分；/n其中，所述第一高势垒金属部分沿着所述碳化硅层顶面的方向位于所述碳化硅层上的两个第一低势垒金属部分之间。/n
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