[发明专利]用于晶圆键合的等离子体活化处理在审
| 申请号： | 201980000178.7 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109844915A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 刘孟勇;丁滔滔;刘武;邢瑞远;陈国良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了晶圆键合方法的实施例。在范例中，对第一晶圆的正面和第二晶圆的正面执行基于氧气或惰性气体的第一等离子体活化处理。在所述第一等离子体活化处理之后，对所述第一晶圆的所述正面和所述第二晶圆的所述正面执行基于水分子的第二等离子体活化处理。在所述第二等离子体活化处理之后，对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合，使得所述第一晶圆的经处理的正面与所述第二晶圆的经处理的正面物理接触。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 等离子体活化 晶圆键合 惰性气体 物理接触 水分子 键合 氧气 | ||
【主权项】：
1.一种用于晶圆键合的方法，包括：对第一晶圆的正面和第二晶圆的正面执行基于氧气或惰性气体的第一等离子体活化处理；在所述第一等离子体活化处理之后，对所述第一晶圆的所述正面和所述第二晶圆的所述正面执行基于水分子的第二等离子体活化处理；以及在所述第二等离子体活化处理之后，对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合，使得所述第一晶圆的经处理的正面与所述第二晶圆的经处理的正面物理接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
