[发明专利]三维存储器件及其制造方法

摘要

提供了一种三维(3D)存储器件及其制造方法。该方法包括如下步骤。在衬底上形成交替电介质叠层。形成在垂直方向上穿过交替电介质叠层的垂直结构。去除所述交替电介质叠层的底部电介质层。在去除所述底部电介质层之后，在所述衬底和所述交替电介质叠层之间形成外延层。在外延层上形成绝缘层。绝缘层位于外延层和交替电介质叠层之间。可以避免形成垂直结构的步骤对外延层的影响，并且因此可以避免外延层和底部电介质层之间界面处的缺陷。

主权项

1.一种三维(3D)存储器件的制造方法，包括：在衬底上形成交替电介质叠层；形成在垂直于所述衬底的表面的垂直方向上穿过所述交替电介质叠层的垂直结构；去除所述交替电介质叠层的底部电介质层；在去除所述底部电介质层之后在所述衬底和所述交替电介质叠层之间形成外延层；以及在所述外延层上形成绝缘层，其中所述绝缘层位于所述外延层和所述交替电介质叠层之间。