[发明专利]具有由不扩散导电材料制成的键合触点的键合半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201980000297.2 | 申请日： | 2019-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN109964313A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;刘峻;朱继锋;陈俊;华子群;肖莉红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了键合半导体结构及其制造方法的实施例。在示例中，半导体器件包括第一半导体结构、第二半导体结构、以及第一半导体结构和第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括衬底、设置在衬底上的第一器件层、以及设置在第一器件层上方并包括第一键合触点的第一键合层。第二半导体结构包括第二器件层和第二键合层，第二键合层设置在第二器件层下方并包括第二键合触点。第一键合触点在键合界面处与第二键合触点接触。第一键合触点或第二键合触点中的至少一个由不扩散导电材料制成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 键合 触点 器件层 键合层 键合半导体结构 导电材料 键合界面 衬底 半导体器件 扩散 触点接触 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一半导体结构，其包括衬底、设置在所述衬底上方的第一器件层、以及设置在所述第一器件层上方并包括第一键合触点的第一键合层；第二半导体结构，其包括第二器件层和设置在所述第二器件层下方并包括第二键合触点的第二键合层；以及所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间的键合界面，其中所述第一键合触点在所述键合界面处与所述第二键合触点接触；并且所述第一键合触点或所述第二键合触点中的至少一个由不扩散导电材料制成。
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