[发明专利]利用保护层的原位形成的新颖蚀刻工艺

摘要

在公开的方法中，在微结构上形成掩模。该掩模包括定位于所述微结构的第一区域之上的第一图案以及定位于所述微结构的第二区域之上的第二图案。执行第一蚀刻工艺以根据掩模中形成的第一和第二图案来蚀刻微结构。第一蚀刻工艺分别将掩模的第一和第二图案转移到微结构的第一和第二区域中。接下来在掩模的定位于微结构的第一区域之上的第一图案之上形成保护层。在形成保护层时，执行第二蚀刻工艺以蚀刻微结构并将掩模的第二图案进一步转移到微结构的第二区域中。该方法还包括从所述微结构去除所述掩模和所述保护层。

主权项

1.一种用于处理晶片的方法，包括：在微结构上形成掩模，所述掩模包括定位于所述微结构的第一区域之上的第一图案以及定位于所述微结构的第二区域之上的第二图案；执行第一蚀刻工艺，所述第一蚀刻工艺根据所述掩模中形成的所述第一图案和所述第二图案来蚀刻所述微结构，以将所述掩模的所述第一图案和所述第二图案分别转移到所述微结构的所述第一区域和所述第二区域中；在所述掩模的定位于所述微结构的所述第一区域之上的所述第一图案之上形成保护层；执行第二蚀刻工艺，所述第二蚀刻工艺蚀刻所述微结构并将所述掩模的所述第二图案进一步转移到所述微结构的所述第二区域中；以及从所述微结构去除所述掩模和所述保护层。