[发明专利]用于形成没有由凹陷引起的导体残留物的三维存储设备的方法

摘要

公开了三维(3D)存储设备及其形成方法的实施例。在一个示例中，公开了一种用于形成3D存储设备的方法。在衬底上方形成垂直延伸穿过包括交错的牺牲层和电介质层的电介质叠层的沟道结构。形成垂直延伸穿过电介质叠层的虚设沟道结构。在虚设电介质层上形成升高电介质层。形成垂直延伸穿过升高电介质层、虚设电介质层和电介质叠层的缝隙开口。通栅极替换在衬底上方形成包括交错的导体层和电介质层的存储器叠层。通过在升高电介质层上和缝隙开口中沉积源极导体层，在缝隙开口中形成源极接触部。去除升高电介质层上的源极导体层和升高电介质层的至少一部分。

主权项

1.一种用于形成三维(3D)存储设备的方法，包括：在衬底上方形成垂直延伸穿过包括交错的牺牲层和电介质层的电介质叠层的沟道结构；通过在所述电介质叠层上和虚设沟道孔中沉积虚设电介质层来形成垂直延伸穿过所述电介质叠层的虚设沟道结构；在所述虚设电介质层上形成升高电介质层；形成垂直延伸穿过所述升高电介质层、所述虚设电介质层和所述电介质叠层的缝隙开口；通过穿过所述缝隙开口用导体层替换所述牺牲层，在所述衬底上方形成包括交错的所述导体层和所述电介质层的存储器叠层；通过在所述升高电介质层上和所述缝隙开口中沉积源极导体层，在所述缝隙开口中形成源极接触部；以及去除所述升高电介质层上的所述源极导体层以及所述升高电介质层的至少一部分。