[发明专利]三维存储器件中的高k电介质层及其形成方法有效
| 申请号： | 201980000541.5 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN110088906B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 肖莉红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了具有一个或多个高k电介质层的3D存储器件的实施例及其形成方法。在示例中，3D存储器件包括：衬底；存储堆叠体，所述存储堆叠体包括所述衬底上方的高k电介质层以及所述高k电介质层上方的多个交错导体层和电介质层；以及半导体插塞，所述半导体插塞设置在所述衬底上方并且位于所述高k电介质层的开口中。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 中的 电介质 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维(3D)存储器件，包括：衬底；存储堆叠体，所述存储堆叠体包括：所述衬底上方的第一高k电介质层，以及所述第一高k电介质层上方的多个交错导体层和电介质层；以及半导体插塞，所述半导体插塞设置在所述衬底上方并且位于所述第一高k电介质层的开口中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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