[发明专利]非易失性存储器器件和用于通过施加多个位线偏置电压在非易失性存储器器件中编程的方法有效
| 申请号： | 201980001039.6 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110431633B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李海波;张超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 在非易失性存储器器件中编程，包括：在第一编程循环期间向非易失性存储器单元施加至少一个编程脉冲；在所述第一编程循后的第二编程循环期间向所述非易失性存储器单元施加至少一个编程脉冲；以及根据将所述第一编程循环中的所述非易失性存储器单元的阈值电压与所述非易失性存储器单元的目标数据状态的低验证电平和/或高验证电平进行比较的结果，以及将所述第二编程循环中的所述非易失性存储器单元的阈值电压与所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平和/或所述高验证电平进行比较的结果，提供所述非易失性存储器单元的位线偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 器件 用于 通过 施加 个位 偏置 电压 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在非易失性存储器器件中编程的方法，包括：在每一个先前编程循环期间向所述非易失性存储器器件的非易失性存储器单元施加至少一个编程脉冲；在当前编程循环期间向所述非易失性存储器单元施加至少一个编程脉冲；以及如果在所有所述先前编程循环和所述当前编程循环中，所述非易失性存储器单元的阈值电压低于所述非易失性存储器单元的目标数据状态的高验证电平，在所述先前编程循环中的至少一个先前编程循环和/或所述当前编程循环中，所述阈值电压高于所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的低验证电平，并且提供第一中间电压的编程循环的数量不大于第一预定数量，则提供所述第一中间电压作为下一编程循环中的位线偏置电压，其中，所述第一中间电压低于第二中间电压。
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