[发明专利]阵列基板及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201980001110.0 申请日: 2019-07-22
公开(公告)号: CN112543997A 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 杨维;袁广才;宁策;卢鑫泓;周天民;王利忠 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 顾丽波;姜春咸
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本公开提供一种阵列基板及其制造方法,该阵列基板的制造方法,包括:提供衬底基板;在衬底基板的第一表面形成第一有源层,第二有源层;在所述第二有源层的远离所述衬底基板的一侧形成第二栅极;在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层,所述第一绝缘层还覆盖所述第一有源层;对所述第一绝缘层图案化以在所述第二栅极的两侧形成第一通孔以暴露所述第二有源层;在所述第一通孔中以及所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的表面上沉积第一金属层;对所述第一金属层图案化,去除所述第一金属层位于所述第一有源层上方的至少一部分,以暴露所述第一绝缘层;利用图案化的第一金属层作为掩膜刻蚀所述第一绝缘层,在所述第一有源层上方形成第二通孔以暴露所述第一有源层;对露出的第一有源层进行清洗。
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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