[发明专利]三维存储器件中的存储器内计算在审
| 申请号： | 201980001301.7 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110537259A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 杨盛玮;夏仲仪;韩坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 11376 北京永新同创知识产权代理有限公司 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰<国际申请>=PCT/CN |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种三维(3D)存储器件。示例性3D存储器件包括第一半导体结构，该第一半导体结构包括外围电路、数据处理电路、和包括多个第一键合接触部的第一键合层。该3D存储器件也包括第二半导体结构，该第二半导体结构包括3D NAND存储串的阵列和包括多个第二键合接触部的第二键合层。另外，该3D存储器件包括位于第一键合层和第二键合层之间的键合界面。第一键合接触部在该键合界面处与第二键合接触部接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 存储器件 键合层 键合 键合界面 数据处理电路 外围电路 三维 存储 | ||
【主权项】：
1.一种三维(3D)存储器件，包括：/n第一半导体结构，包括外围电路、数据处理电路、和包括多个第一键合接触部的第一键合层；/n第二半导体结构，包括3D NAND存储串的阵列和包括多个第二键合接触部的第二键合层；和/n键合界面，位于所述第一键合层和所述第二键合层之间，其中所述第一键合接触部在所述键合界面处与所述第二键合接触部接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
