[发明专利]用于形成三维NAND的电容器的结构和方法在审
| 申请号： | 201980001349.8 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN110520984A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;甘程;刘威;陈顺福 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L49/02 |
| 代理公司： | 11376 北京永新同创知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘健;张殿慧<国际申请>=PCT/CN2 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了用于存储器件的三维电容器和制造方法的实施例。所述方法包括在第一衬底的第一侧上形成外围电路，所述外围电路具有多个外围设备、第一互连层、深阱和第一电容器电极。所述方法还包括在第二衬底上形成具有多个存储单元和第二互连层的存储器阵列，以及将外围电路的第一互连层与存储器阵列的第二互连层键合。所述方法还包括在第一衬底的第二侧上形成在深阱内部的一个或多个沟槽，将电容器电介质层布置在一个或多个沟槽的侧壁上，以及在一个或多个沟槽内部的电容器电介质层的侧壁上形成电容器触点。 | ||
| 搜索关键词： | 互连层 外围电路 衬底 电容器电介质 存储器阵列 侧壁 深阱 外围设备 电容器 第一电容器 三维电容器 存储单元 存储器件 电极 触点 键合 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成用于存储器件的3D电容器的方法，包括：/n在第一衬底的第一侧上形成外围电路，所述外围电路包括多个外围器件、第一互连层、深阱和第一电容器电极，其中，所述第一电容器电极是与所述深阱电气地连接的；/n在第二衬底上形成包括多个存储单元和第二互连层的存储器阵列；/n将所述外围电路的所述第一互连层与所述存储器阵列的所述第二互连层键合，使得所述外围电路的至少一个外围器件是与所述存储器阵列的至少一个存储单元电气地连接的；/n在所述第一衬底的第二侧上形成在所述深阱内部的一个或多个沟槽，其中，所述第一侧和所述第二侧是所述第一衬底的相对侧；/n将电容器电介质层布置在所述一个或多个沟槽的侧壁上；以及/n在所述一个或多个沟槽内部的所述电容器电介质层的侧壁上形成电容器触点。/n
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